Руководитель лаборатории Шестериков Евгений Викторович Кандидат технических наук
Год создания лаборатории:
Описание
НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУРа основан в рамках национальной нанотехнологической сети и обладает уникальным оборудованием для проектирования и прототипирования изделий наноэлектроники. На его основе ведётся создание электронной компонентной базы нового поколения с последующим освоением производства на предприятиях-партнёрах.
Одной из главных задач НОЦ «Нанотехнологии» является проведение передовых научных исследований в области СВЧ-наноэлектроники, нанофотоники, нанотехнологий и наноматериалов. В круг обязанностей центра также входит подготовка и переподготовка кадров высшей квалификации и специалистов в выше перечисленных областях.
В рамках своих исследований НОЦ «Нанотехнологии» занимается разработкой технологий изготовления гетероструктурных СВЧ МИС, разработкой методов измерения параметров гетероструктур, характеризации СВЧ МИС и функциональных элементов, созданием библиотек моделей элементов СВЧ МИС, разработкой программного обеспечения для автоматизированного проектирования СВЧ-устройств и управления измерительными комплексами, разработкой на базе MESFET-, pHEMT- и mHEMT-технологий СВЧ МИС для радиоэлектронных устройств и систем различного назначения.
Значимые результаты за период работы лаборатории
Совместно с ИСВЧПЭ РАН в 2008 году на базе 0,13 мкм GaAs pHEMT-технологии разработан первый в России комплект гетероструктурных монолитных МШУ диапазона 6-12 ГГц, параметры которых находятся на уровне лучших зарубежных аналогов (коэффициент шума 1,4-1,6 дБ).
Совместно с ИСВЧПЭ РАН в 2009 году на базе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии изготовлен первый в России гетероструктурный монолитный МШУ миллиметрового диапазона волн (30-37 ГГц).
В 2010 году выполнена разработка образовательной программы переподготовки и УМК, ориентированной на потребности проектных компаний ГК «Роснанотех», реализующих инвестиционные проекты в области промышленного производства конкурентоспособных наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов при финансовой поддержке ГК «РОСНАНО».
Совместно с НПФ «Микран» в 2010 – 2012 годах разработаны технологические процессы производства GaAs и GaN СВЧ-гетеротранзисторов с высокой подвижностью электронов, предназначенные для производства специализированных СВЧ GaAs- и GaN-монолитных интегральных схем для использования в системах фиксированной связи и беспроводного широкополосного доступа (ШБД) стандарта WiMax IEEE 802.16d и IEEE 802.16e, высокотехнологичной многоканальной РЛС с высоким разрешением по дальности, контрольно-измерительной аппаратуры СВЧ с диапазоном частот до 50 ГГц.
2012 – 2015 годах совместно с ЗАО «НПФ «Микран»» велись работы по созданию микросхем СВЧ для применения в радарах миллиметрового диапазона.
В рамках Европейской программы INTAS выполнено нескольких международных проектов. Проекты направлены на совместную разработку СВЧ МИС с экстремальными характеристиками для применения в области космических и радиоастрономических исследований, а также на создание методов и программного обеспечения для автоматизированного проектирования СВЧ МИС.
Совместно с XLIM и CNES (Франция) разработан монолитный МШУ диапазона 27-31 ГГц с рекордно низким коэффициентом шума (1,7 дБ) и фильтрующими функциями, что позволило улучшить характеристики системы космической связи (0,1 мкм GaAs mHEMT технология фирмы OMMIC, Франция).
Совместно с ASTRON (Голландия) по этой же технологии разработан монолитный МШУ диапазона 0,3-1,2 ГГц для гигантского радиотелескопа, который строится в рамках Европейского проекта SKADS. 2015-2018 годах разработан СВЧ МЭМС переключатель, работающий в диапазоне частот до 40 ГГц. Совместно с компанией АО «ОКБ-Планета» с 2021 года ведутся работы по разработке и изготовлению GaN СВЧ МИС 8-12 ГГц.
C 2021 года ведется разработка пьезоэлектрического микродозатора для систем печати последовательностей олигонуклиотидов.
С 2021 года совместно с компанией «Соленна» ведутся работы по изготовлению электронных детекторов для инфокоммуникационных каналов с терабитным быстродействием и аппаратно-техническое обеспечение их производства.
Совместно с компанией Т8 с 2022 года ведутся работы по разработке пассивных и активных элементов для фотонных интегральных схем на основе нитрид кремния и тонкопленочного ниобата лития.
Сотрудничество с организациями реального сектора экономики
- АО «НПФ «Микран» (Томск);
- АО «НИИПП» (Томск);
- ООО «Т8» (Москва);
- АО «ОКБ-Планета»;
- ФГУП «ВНИИА» имени Н.Л.Духова» (г. Москва);
- УПКБ «Деталь» (г. Каменск-Уральский);
- АО «НПП «Завод «Искра» (г. Ульяновск);
- АО «ЦКБА» (г. Омск);
- АО «ОНИИП» (г. Омск).
