Исследование и разработка кремниевого интерпозера с TSV-отверстиями для применения в СВЧ микроэлектронике
На данный момент, основным способом гетерогенной интеграции СВЧ МИС является проволочное соединение. Основными недостатками таких соединений являются: трудности миниатюризации, увеличение потерь тепловыделения и рассогласование волнового сопротивления ввиду нарушения планарности конструкции, большой длины и широких допусков проволочного соединения. Одним из современных вариантов оптимизации межэлементных соединений являются TSV (through substrate via) соединения. Технология заключается в создании сквозного отверстия, заполненного металлом на утоненной пластине (интерпозере). Таким образом создается вертикальный интегральный проводящий слой, соединяющий рабочие плоскости пластины. В рамках проекта поставлено выполнение двух целей: разработка технологии формирования металлизации TSV-отверстий методом магнетронного напыления для улучшения параметров текущих продуктов организации-партнера, а также исследование модели кремниевого интерпозера с TSV соединениями с целью определения оптимальных геометрических параметров для минимизации потерь СВЧ сигнала в рамках задела на будущие проекты.