Проект: Разработка комплекта СВЧ монолитных интегральных схем S-диапазона и моделей интегральных элементов на основе отечественной GaAs технологии

Конечными продуктами будут являться: - комплект ИС S-диапазона (буферный усилитель, управляемый аттенюатор, фазовращатель и др.) для работы в системах различного назначения на основе отечественных арсенид-галлиевых технологий; - топологии и эскизная конструкторская документация (ЭКД) на комплект СВЧ МИС, - РИД, оформленные в виде ТИМС; - научно-технический отчет, с результатами разработки СВЧ МИС и методиками их проектирования.

В настоящее время отечественные СВЧ приемопередатчики, в том числе для АФАР, строятся по технологии многокристальных модулей, в основном на базе коммерческих (покупных) GaAs ИС. Как правило, используются широкополосные устройства, доступные к продаже, которые в силу своей универсальности обладают усредненными техническими параметрами. Реализация специализированных СВЧ ИС, направленных на решение конкретной задачи позволит повысить технические характеристики за счет сужения полосы пропускания и реализации дополнительных функций (например, датчики отраженной и падающей волны, модуляторы питания и т.п.). Также одной из целей данной прикладной НИР является расширение номенклатурной базы СВЧ ИС, разработанной на базе GaAs технологий.

Предметом разработки является комплект ИС S-диапазона (буферный усилитель, управляемый аттенюатор, фазовращатель и др.) для работы в системах различного назначения на основе отечественных арсенид-галлиевых технологий. Результатом разработки является: - топологии и эскизная конструкторская документация (ЭКД) на комплект СВЧ МИС, зарегистрированные РИД в виде ТИМС; - научно-технический отчет, с результатами разработки СВЧ МИС и методиками их проектирования.

1) Схемотехническое моделирование принципиальных схем на основе комплекта средств проектирования (PDK – process design kit, библиотека электрических и топологических моделей) выбранной фабрики, разработка методик проектирования СВЧ ИС. 2) Электромагнитное моделирование (ЭМ) элементов топологий СВЧ ИС численными методами в САПР.

Новизна будет содержаться в технических характеристиках, разрабатываемых арсенид-галлиевых ВЧ/СВЧ ИС, в схемотехнических и топологических решениях, которые будут использованы для их достижения. Также в проекте планируется разработать и включить в библиотеку модели пассивных и активных элементов ВЧ и СВЧ ИС для создаваемых и развиваемых в настоящее время отечественных интегральных технологий.

Научным руководителем проекта было разработано более 20 аналоговых ВЧ/СВЧ ИС (сложно-функциональных блоков) в составе систем на кристалле и аналоговой части ВЧ/СВЧ приемопередатчиков на основе кремниевых и A3B5 технологий (малошумящие усилители, усилители мощности, смесители, управляемые фазовращатели, аттенюаторы и др.) в различных частотных поддиапазонах от 1 ГГц до 40 ГГц; Научный руководитель проекта принимал участие в ряде проектов, поддержанных грантами РФФИ и INTAS, ФЦП и госзаданиями Минобрнауки, а также в НИОКР для таких предприятий, как АО "Концерн ВКО "Алмаз-Антей", АО НПП «Пульсар», АО «НИИМЭ», АО НПП «ЛЭМЗ», ООО «ЛЭМЗ-Т», АО «ИСС», АО «НИИПП», АО НПФ «Микран», АО «Октава» и др.

Ключевыми конкурентными преимуществами создаваемого комплекта СВЧ МИС являются технические параметры и функции, применение под конкретную задачу, ориентация на отечественные технологии.